艾司摩爾宣傳新一代EUV 尖端製程競賽開打！

【新唐人亞太台 2024 年 09 月 06 日訊】國際半導體展，大廠齊聚台灣，全球半導體設備重要業者的艾司摩爾，週五大談新一代EUV技術，並透露現行採用EUV的多家客戶，都已經計劃下單導入。

國際半導體展期間，全球晶片微影技術大廠ASML （艾司摩爾），高層在台，分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術。

透過採用新的光學元件，數值孔徑從0.33提升到0.55，單位面積晶片電晶體密度提高至2.9倍，成像對比大幅提高40%，直接支援2奈米以下晶片生產，每小時曝光185片晶圓，當然造價也更昂貴！

ASML High NA EUV產品管理副總裁 Greet Stroms：「ASML High NA EUV產品管理副總裁 Greet Stroms：「當使用高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）時，可以一次曝光完成，使用低數值孔徑EUV，則可能需要兩次、三次曝光，才能完成相同的結構。因此即使系統的絕對價格較高，但如果按每次曝光的成本來計算，我們發現其實可以便宜多達30%。」

簡單來說，簡化先進製程製造工序，降低每片晶圓用電成本，High NA EUV擁有的平滑鏡面，如果放大到地球一樣大，最高誤差，不能超過一張撲克牌的厚度，可見精密度之高。

ASML High NA EUV產品管理副總裁 Greet Stroms：「目前所有使用低數值孔徑極紫外光的客戶，也已經轉為使用高數值孔徑EUV。我無法透露具體數字，但我們的每一位EUV客戶都有訂購，他們大多數仍處於研究與開發階段。我們預期（客戶）首批量產節點，將會在2026年左右啟動。」

2030年全球半導體產值，可望衝上1兆美元，資料傳輸需求推動摩爾定律。艾司摩爾表示，首款High NA EUV，去年首度出售給重要客戶，投入研發超過十年，這回高層來台宣傳，也透露多家大廠都已經下單。

新唐人亞太電視 胡宗翰 沈唯同 台灣台北報導